| 摘要 |
Dans la production de cellules de mémoire du type à condensateur à tranchée grâce à une technologie d'isolation de tranchée, il est nécessaire de doper de manière contrôlée les parois à pente raide de la tranchée. Une mince couche de transfert (13) en polysilicium est déposée dans la tranchée de manière à recouvrir, en s'adaptant au relief, les parois latérales et le fond de la tranchée, ainsi que la surface entourant la partie supérieure de la tranchée. Une impureté est implantée dans le polysilicium sur le fond de la tranchée et autour de la surface supérieure. En chauffant la pièce, l'impureté se diffuse rapidement le long de la couche de polysilicium vers le haut et vers le bas le long des parois latérales et ensuite à l'intérieur de ces mêmes parois. |
