SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS CONTAINING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES.

摘要

Un dispositif à circuit intégré CMOS, permettant d'éviter les blocages entre des FETs à canal n et à canal p faiblement écartés (90, 130) du dispositif, comprend une tranchée (150) empêchant les blocages, formée dans le substrat semi-conducteur (20) entre les FETs. La tranchée est pratiquement entièrement remplie d'un matériau diélectrique solide (160) essentiellement exempt de cavités provoquant des fissures, et elle est étroite, étant donné que l'angle entre la paroi latérale de la tranchée et une perpendiculaire à la surface du substrat (50) est supérieur ou égal à 5 degrés environ mais inférieur à 10 degrés environ.