Method of producing a highly integrated circuit of MOS field-effect transistors.

摘要

Um eine spannungsfeste MOS-Schaltung für unterschiedliche Betriebsspannungen zu erhalten, wird durch zwei aufeinander abgstimmte Oxidationsschritte, zwischen welchen ein Ätzschritt liegt, ein Gateoxid erzeugt, das im Bereich eines ersten n-Kanal-Transistors dicker ist als im Bereich eines zweiten n-Kanal-Transistors. Ferner wird - in Kombination oder alternativ dazu - eine geschwindigkeitsoptimierte und spannungsfeste Schaltung durch unterschiedliche Implantationen der Source-Drain-Bereiche der beiden Transistoren erreicht.