| 摘要 |
<p>Eine selbstausrichtende Gatestruktur eines Verbindungshalbleiter-Feldeffekttransistors (MESFETs) wird aus einer Siliziumschicht (14) mit darüber angeordneter Metallschicht (15) aus z.B. Nickel gebildet. Das Metall bildet eine Ätzmaske für das Silizium und anschließend eine Implantationsmaske für die Herstellung der Drain- und Sourcezonen (18, 19). Ätzen der Siliziumschicht (14) führt zu einem Unterätzen, wodurch das Gate (17) von der Drain- und Sourcezone (18, 19) getrennt wird. Erhitzen der Struktur zum Tempern der Implantation führt zum Eindiffundieren des Metalls in das Silizium und zur Ausbildung einer Metallsilizid-Gateelektrode (20).</p> |
