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发明名称 PROCEDIMENTO DI REALIZZAZIONE DI TRANSISTORI AD EFFETTO DI CAMPO DI TIPO MOS E TRANSISTORI REALIZZATI SECONDO UN TALE PROCEDIMENTO
摘要
申请公布号 IT1102177(B) 申请公布日期 1985.10.07
申请号 IT19780048972 申请日期 1978.04.19
申请人 THOMSON-CSF 发明人
分类号 H01L21/033;H01L21/225;H01L29/08;(IPC1-7):H01L/ 主分类号 H01L21/033
代理机构 代理人
主权项
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