发明名称 |
Reactive ion etching of tin oxide films using silicon tetrachloride reactant gas |
摘要 |
High resolution patterns can be etched in tin oxide films in one step using reactive ion etching when the reactant gas consists essentially of silicon tetrachloride (SiCl4).
|
申请公布号 |
US4544444(A) |
申请公布日期 |
1985.10.01 |
申请号 |
US19840640938 |
申请日期 |
1984.08.15 |
申请人 |
GENERAL MOTORS CORPORATION |
发明人 |
CHANG, SHIH-CHIA |
分类号 |
C04B41/53;C04B41/91;H01L31/18;(IPC1-7):B44C1/22;C03C15/00;C03C25/06 |
主分类号 |
C04B41/53 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|