PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM DE SILICIUM SUR UN SUBSTRAT DANS UNE ATMOSPHERE DE PLASMA

摘要

L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM DE SILICIUM SUR UN SUBSTRAT QUI CONSISTE A MAINTENIR LE SUBSTRAT CHAUFFE DANS UNE ATMOSPHERE DE PLASMA D'UN GAZ REACTIF DONT AU MOINS UNE PARTIE EST UN DISILANE HALOGENE.SELON L'INVENTION, LE GAZ REACTIF COMPREND UN FLUOROSILANE AYANT AU MOINS UN ATOME D'HYDROGENE. ON UTILISE UN DISPOSITIF COMPRENANT UNE CHAMBRE SOUS VIDE 10 CONTENANT DEUX ELECTRODES 12 ET 14, UN SUBSTRAT 20 ET UN RECHAUFFEUR 18; LES MATIERES PREMIERES GAZEUSES PROVIENNENT DE CYLINDRES 30, 32, 34 ET LE VIDE EST PRODUIT PAR UNE POMPE ROTATIVE A JOINT D'HUILE 36 ET UNE TURBOPOMPE MOLECULAIRE 38.L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT AU REVETEMENT DE SUBSTRATS TELS QUE DU VERRE, DU QUARTZ, DE LA CERAMIQUE OU DU METAL.