METHOD FOR REPAIR OF BURIED CONTACTS IN MOSFET DEVICES.

摘要

On répare des contacts entre conducteurs au polysilicium (21) sur la surface d'une plaquette de silicium (11) et les régions dopées (13) situées sous ces derniers dans la plaquette, rendus défectueux par la croissance d'une fine couche d'oxyde (23) s'intercalant entre les conducteurs (21) et les diffusions (13) en déposant des points d'aluminium (25) sur les conducteurs (21) dans les zones de contact et en recuisant la plaquette (11) de manière à entraîner les traces d'aluminium à travers les conducteurs (21) et l'oxyde (23) dans les régions dopées sous-jacentes (13) de la plaquette (11).