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发明名称 PROCEDE POUR LA FABRICATION D'UN CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR A COMPOSES DES GROUPES II-IV
摘要
申请公布号 FR2484467(B1) 申请公布日期 1985.08.30
申请号 FR19810011519 申请日期 1981.06.11
申请人 NISHIZAWA JUN ICHI 发明人
分类号 C01G9/00;C01B19/00;C30B11/00;C30B13/02;C30B19/02;C30B19/04;C30B29/48;H01L21/208;H01L21/368 主分类号 C01G9/00
代理机构 代理人
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