| 发明名称 |
INSULATED GATE ELECTRODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS60158671(A) |
申请公布日期 |
1985.08.20 |
| 申请号 |
JP19840270579 |
申请日期 |
1984.12.21 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INC |
发明人 |
GUENTAA HAINETSUKE;RABITSUTO ZUUBITSUKU |
| 分类号 |
H01L27/088;H01L21/8234;H01L29/08;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L27/088 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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