发明名称 MEJORAS EN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON UN SUSTRATO VOLUMINOSO Y UNA CAPA EPITAXIAL DESARROLLADA SOBRE EL,Y METODO PARA FABRICAR EL MISMO
摘要
申请公布号 MX152488(A) 申请公布日期 1985.08.13
申请号 MX19820195133 申请日期 1982.11.11
申请人 GENERAL ELECTRIC COMPANY 发明人 BANTVAL JAYANT BALIGA
分类号 H01L29/74;H01L21/332;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/749;(IPC1-7):H01L21/70 主分类号 H01L29/74
代理机构 代理人
主权项
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