| 摘要 |
<p>Des conducteurs de traversée électriques hermétiquement scellés (12, 14) et (16) sont formés sur la périphérie ou à la limite (18) entre une région hermétiquement scellée (26) sur un substrat semi-conducteur et une seconde région ou région extérieure (20, 22) et (24) de celui-ci en commençant par former une couche d'isolation planaire (40) sur la surface du substrat de silicium le long du chemin prédéterminé du conducteur de traversée à travers la circonférence, ladite couche d'isolation possédant au moins une saillie planaire (72, 74) de chaque côté s'étendant hors du chemin et arrivant en un point, puis en formant là dessus une couche conductrice de traversée métallique planaire (38) qui recouvre essentiellement la couche d'isolation, comportant des saillies planaires métalliques correspondantes (78). Un élément d'isolation (40), dont la taille permet d'encapsuler la région à sceller (44), est ensuite lié par une liaison Mallory à la circonférence, y compris le conducteur de traversée, de manière à former un joint hermétique sur toute la circonférence, y compris dans la région dudit conducteur de traversée. Les saillies planaires forment une liaison par compression qui élimine toute inclinaison qui, sinon, se formerait en dessous de l'élément d'isolation aux bords du conducteur de traversée et de la couche d'isolation sous-jacente.</p> |
