发明名称 OXIDE SEMICONDUCTOR FOR THERMISTOR.
摘要 <p>Semi-conducteur à base d'oxyde pour thermistor destiné à être utilisé comme capteur principalement dans la plage de température comprise entre 200 et 700oC, contenant un pourcentage atomique de Mn compris entre 65,0 et 98,5, un pourcentage atomique de Ni compris entre 0,1 et 5,0, un pourcentage atomique de Cr compris entre 0,3 et 5,0 et un pourcentage atomique de Zr compris entre 0,05 et 25,0, la somme totale de ces quatre éléments métalliques étant un pourcentage atomique égal à 100. Ce semi-conducteur présente d'excellentes caractéristiques en tant que capteur de températures dans une région de températures moyennes à élevées, c'est-à-dire qu'il présente des changements de la résistance avec le temps de l'ordre 9E5% seulement entre 200 et 700oC, ce qui le rend tout à fait indiqué pour la mesure de températures élevées avec une grande fiabilité.</p>
申请公布号 EP0149681(A1) 申请公布日期 1985.07.31
申请号 EP19840902817 申请日期 1984.07.16
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 发明人 HATA, TAKUOKI
分类号 H01C7/04;(IPC1-7):H01C7/04 主分类号 H01C7/04
代理机构 代理人
主权项
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