PROCEDIMENTO PER L'ISCRIZIONE DI UN TRASNSISTOR MEMORIZZATORE COMPRENDENTE UN DOPPIO STRATO DI DIELETTRICO DI PORTA,申请号IT19780020203-传众专利搜索

发明名称	PROCEDIMENTO PER L'ISCRIZIONE DI UN TRASNSISTOR MEMORIZZATORE COMPRENDENTE UN DOPPIO STRATO DI DIELETTRICO DI PORTA
摘要
申请公布号	IT1092733(B)	申请公布日期	1985.07.12
申请号	IT19780020203	申请日期	1978.02.13
申请人	ITT INDUSTRIES INC	发明人
分类号	G11C17/00;G11C16/04;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C/	主分类号	G11C17/00
代理机构		代理人
主权项
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