发明名称 PHASE-LOCKED SEMICONDUCTOR LASER ARRAY AND A METHOD OF MAKING SAME.
摘要 Réseau de laser à asservissement de phase (10) comprenant une pluralité de canaux faiblement écartés (26) dans la surface (20) du substrat (18) et comportant entre eux des surfaces d'appui (24), l'oscillation du laser se produisant dans une région de cavité sur chacun des canaux (26). Un contact électrique à surface étendue (44) assure un flux uniforme de courant électrique à chacune des régions d'oscillation laser. Les oscillateurs individuels sont couplés par le chevauchement de leurs champs optiques évanescents. L'invention comprend également un procédé de production de ce réseau (10) consistant à former une pluralité d'ondulations sur la surface d'un substrat (300), à former une solution possédant une condition de croissance sursaturée pour des surfaces planes et concaves et une condition de croissance sous-saturée pour des surfaces convexes, à mettre en contact la surface ondulée avec la solution, de manière à fondre partiellement les parties convexes de la surface et à former des surfaces d'appui planes (502) entre les parties concaves des ondulations. La croissance sur les surfaces d'appui est retardée, formant ainsi une surface plane sur la première couche, sur laquelle surface sont ensuite déposées de manière séquentielle les couches restantes.
申请公布号 EP0147417(A1) 申请公布日期 1985.07.10
申请号 EP19840901854 申请日期 1984.04.11
申请人 GENERAL ELECTRIC COMPANY 发明人 BOTEZ, DAN;CONNOLLY, JOHN, CHARLES
分类号 H01L21/208;H01L33/00;H01L33/08;H01L33/24;H01S5/00;H01S5/026;H01S5/223;H01S5/24;H01S5/40 主分类号 H01L21/208
代理机构 代理人
主权项
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