| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un procédé d'ébasage d'un dispositif photosensible à l'état solide. Conformément au procédé, dans un dispositif photosensible à l'état solide comportant N photodétecteurs (1) réalisés sur un premier substrat et connectés par l'intermédiaire d'une zone de transition comportant au moins une zone de stockage (GST) et une grille de transfert (GT) et d'un multiplexeur (R) du type à transfert de charge, à un étage de lecture, dans lequel au moins la zone de transition et le multiplexeur sont réalisés sur un second substrat (2), l'on polarise le second substrat (2) à une tension (VSM) négative par rapport à celle (VSD) du premier substrat, puis après avoir réalise l'intégration des charges et leur transfert dans le multiplexeur de la manière usuelle en laissant une charge QO dans la zone de stockage, on polarise la grille (GT) pour que le potentiel sous cette grille soit inférieur à la tension de polarisation (VSD) puis on polarise la grille (GST) de la zone de stockage pour que le potentiel sous cette grille soit compris entre (VSD) et le potentiel sous la grille (GT) afin d'évacuer la charge QO vers les photodétecteurs (1). L'invention s'applique plus particulièrement à l'infra-rouge.</p> |
