| 主权项 |
1.物料在基材表面上由溶液成长晶膜层之方法,包括如下步骤,令该基材表面定位于第一沟道之第一侧,在基材位置之宽度实质上大于该第一沟道之深度,该第一沟道之进口通溶液贮槽,出口通溶液受槽,逼使该溶液至少部份自贮槽经该进口进入第一沟道,以便流经第一沟道,跨越该基材表面,并经该出口离开第一沟道,进入受槽,该第一沟道之构型使该溶液之至少该部份,在该基材表面区域内发生流线式流动,'并造成冷却剂流体流入第二沟道,同时与基材进行热交换,以相对于进入该第一沟道之该至少部份溶液的饱和温度,降低该基材之温度,以引发在该表面上成长物料之晶膜层,该物料在该基材表面上成长该晶膜层,是在该溶液流过该第一沟道时发生者。2.如请求专利部份第1.项物料在基材表面上由溶液成长之方法,其中,该至少部份溶液利用该溶液上面的气体压力逼其流入、流经、和流出该第一沟道,并越过该基材表面者。 |
