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发明名称 METHODS OF FORMING A FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 GB2140617(B) 申请公布日期 1985.06.19
申请号 GB19840002263 申请日期 1984.01.27
申请人 * RAYTHEON COMPANY 发明人 WOLFGANG M * FEIST
分类号 H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/808;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/265;H01L29/76 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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