| 发明名称 |
METODO PER MODIFICARE LE CARATTERISTICHE ELETTRICHE DI DISPOSITIVI MOS USANDO L INSERI ENTO FOR ZATO PER IONI |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1089901(B) |
申请公布日期 |
1985.06.18 |
| 申请号 |
IT19770009653 |
申请日期 |
1977.12.13 |
| 申请人 |
SMC STANDARD MICROSYSTEMS CORP |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L27/112;G11C17/00;G11C17/08;H01L21/265;H01L21/339;H01L21/8236;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/10;H01L29/762;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L27/112 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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