| 摘要 |
<p>Ce dispositif comporte N ligne et M colonnes de photodiodes sensibles à l'infra-rouge. On intègre dans une série de capacités (C11, C21 C31...) les charges provenant des détecteurs d'une colonne. Des transistors MOS (T12, T22, T32...) relient les premières (C11, C21, C31...) et les deuxièmes (C12, C22, C32...) capacités pour que les charges se répartissent entre ces capacités. Des transistors MOS montés en suiveurs (T14, T24, T34...) lisent le niveau des charges dans les secondes capacités, alors que se produit l'intégration des charges dans les premières capacités des détecteurs de la colonne suivante. Les détecteurs et le reste du dispositif sont intégrés sur deux substrats semi-conducteurs différents, mais l'ensemble du dispositif est intégré dans un même cryostat présentant une sortie (S) unique.</p> |
