| 摘要 |
<P>DANS UN LASER SEMI-CONDUCTEUR A DOPAGE ISO-ELECTRONIQUE RESPECTIVEMENT A STRUCTURE DE "QUANTUM WELL", LE RENDEMENT EST AUGMENTE NOTABLEMENT PAR INJECTION LATERALE. A CET EFFET, LA REGION ACTIVE 3 EST COMPOSEE DE COUCHES ACTIVES 4 ET DE COUCHES CONSTITUANT BARRIERE 5, QUI SONT LATERALEMENT DELIMITEES PAR DES ZONES SEMI-CONDUCTRICES 6, 7 DE PREFERENCE DEGENEREES, ASSURANT L'INJECTION DE PORTEURS DE CHARGE DANS LA DIRECTION LONGITUDINALE DES COUCHES ACTIVES 4. L'INVERSION D'OCCUPATION DANS LES COUCHES ACTIVES 4 EST AUGMENTEE AVANTAGEUSEMENT DU FAIT QU'IL SE PRODUIT UNE SUPERINJECTION AUX TRANSITIONS AVEC LES ZONES SEMI-CONDUCTRICES DEGENEREES 6, 7.</P>
|
