Line transfer light-sensitive device.

摘要

La présente invention concerne des perfectionnements aux dispositifs photosensibles à transfert de ligne comportant sur au moins un substrat semiconducteur, une zone photosensible (1) de M lignes de N points photosensibles, les points photosensibles (PH) des différentes lignes étant reliés en parallèle par des colonnes conductrices à une mémoire de ligne (4) qui assure au moins le transfert des charges signal intégrées sur une même ligne de la zone photosensible vers un registre de lecture (3) constitué par un registre à décalage à transfert de charge du type transfert en volume. Conformément à la présente invention, la mémoire de ligne (4) est réalisée sur une zone (TV) de substrat semiconducteur présentant une implantation d'impuretés de type opposé à celui du substrat de manière à réaliser un transfert des charges «en volume», le dopage en impuretés de la zone de réalisation de la mémoire de ligne étant inférieur ou égal à celui de la zone de réalisation du registre à décalage. L'invention s'applique en particulier aux dispositifs photosensibles à transfert de ligne fonctionnant avec une double charge d'entraînement.