| 发明名称 |
BI-LAYER INSULATION STRUCTURE INCLUDING POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR INTEGRATED CIRCUIT ISOLATION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3519901(A) |
申请公布日期 |
1970.07.07 |
| 申请号 |
USD3519901 |
申请日期 |
1968.01.29 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INC. |
发明人 |
KENNETH E. BEAN;BILLY M. MARTIN |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L23/29;H01L27/06;H01L29/04;H01L49/02;(IPC1-7):H01L11/00;H01L15/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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