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<P>DIODE DE REFERENCE POUR CIRCUIT INTEGRE ET SON PROCEDE DE FABRICATION:</P><P>-ON AJOUTE DANS UNE ZONE 4 DE TYPE P UNE ZONE COMPLEMENTAIRE 8 DE TYPE N QUI ENTOURE UNE ZONE 5 DE TYPE N ET PAR CONSEQUENT LA PERIPHERIE, EN SURFACE, DE CETTE JONCTION PN ENTRE LA ZONE 4 DE TYPE P ET LA ZONE 5 DE TYPE N, LE DOPAGE DE LA ZONE COMPLEMENTAIRE 8 ETANT SUPERIEUR A CEUX DE LA ZONE 5 DE TYPE N ET DE LA ZONE 4 DE TYPE P, CE QUI AUGMENTE LA TENSION DE RUPTURE AUX COINS ET AUX BORDS DE LA SURFACE DE L'ENSEMBLE AFIN QUE CETTE TENSION SOIT SUPERIEURE A LA TENSION DE RUPTURE DE LA ZONE DE JONCTION PN DE LA SUBSURFACE CENTRALE FORMEE PAR LA ZONE 5 DE TYPE N ET LA ZONE 7 DE TYPE P;</P><P>-ON FACILITE LA FABRICATION DE LA DIODE ET ON EN AMELIORE LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EN REDUISANT LA RUPTURE DE LA SUBSURFACE ET EN AUGMENTANT LA RUPTURE EN SURFACE.</P>
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