发明名称 |
MOS DEPLETION LOAD CIRCUIT. |
摘要 |
Un élément de charge à appauvrissement destiné à être connecté entre une ligne d'alimentation (VCC) et un point nodal (10) comprend un transistor à effet de champ à mode d'enrichissement (12) possédant une source (14) reliée au point nodal (10), une porte (15) reliée à la ligne d'alimentation, et un drain (25) relié à un deuxième point nodal; l'élément comprend également un transistor à effet de champ à mode d'appauvrissement (20) possédant un drain (21) relié à la ligne d'alimentation (VCC) et possédant une source (23) reliée au deuxième point nodal. La porte (22) est reliée au premier ou au deuxième point nodal. |
申请公布号 |
EP0138902(A1) |
申请公布日期 |
1985.05.02 |
申请号 |
EP19840901255 |
申请日期 |
1984.02.21 |
申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES, INC. |
发明人 |
FREDERICK, BRUCE, A. |
分类号 |
G05F1/56;G05F3/24;H03K3/012;H03K17/041;H03K19/017;(IPC1-7):H03K3/353;H03K17/687;G11C7/00 |
主分类号 |
G05F1/56 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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