发明名称 MOS DEPLETION LOAD CIRCUIT.
摘要 Un élément de charge à appauvrissement destiné à être connecté entre une ligne d'alimentation (VCC) et un point nodal (10) comprend un transistor à effet de champ à mode d'enrichissement (12) possédant une source (14) reliée au point nodal (10), une porte (15) reliée à la ligne d'alimentation, et un drain (25) relié à un deuxième point nodal; l'élément comprend également un transistor à effet de champ à mode d'appauvrissement (20) possédant un drain (21) relié à la ligne d'alimentation (VCC) et possédant une source (23) reliée au deuxième point nodal. La porte (22) est reliée au premier ou au deuxième point nodal.
申请公布号 EP0138902(A1) 申请公布日期 1985.05.02
申请号 EP19840901255 申请日期 1984.02.21
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 发明人 FREDERICK, BRUCE, A.
分类号 G05F1/56;G05F3/24;H03K3/012;H03K17/041;H03K19/017;(IPC1-7):H03K3/353;H03K17/687;G11C7/00 主分类号 G05F1/56
代理机构 代理人
主权项
地址