| 摘要 |
Dans un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur de petites dimensions, un substrat semiconducteur (10) est pourvu d'une couche d'oxyde de porte (13), d'une électrode de polysilicium fortement dopée (14') et d'un masque d'oxyde-nitrure (15', 16'). Après un léger dopage permettant de former des régions dopées (21, 22) le substrat est soumis à oxydation thermique à une température comprise entre 700 et 750oC pour former une couche d'oxyde de paroi latérale relativement épaisse (23) sur la porte de polysilicium (14') et une couche d'oxyde relativement mince (26) sur la région de substrat adjacente. Le masque d'oxyde-nitrure (15', 16') est ensuite enlevé, et le substrat est soumis à un dopage ultérieur, la couche d'oxyde de paroi latérale (23) protégeant le substrat sous-jacent d'un dopage ultérieur. Les couches d'oxyde de paroi latérale, permettent d'empêcher des court-circuits électriques entre des couches individuelles en tungstène (30, 31) sur la porte de polysilicium (14') et sur le substrat adjacent. Des couches d'oxyde de paroi latérale (24, 25) sont également formées sur des conducteurs d'interconnexion de polysilicium (14'', 14''') et empêchent d'une manière analogue des court-circuits entre les couches de tungstène (32, 33) formées au-dessus. |
