| 摘要 |
Composé de transport métal-organique permettant la croissance de couches épitaxiales dopées au bérylium aisément reproduisibles. Dans un système de réacteur MOCVD on exécute un procédé comprenant le dépôt épitaxial d'une couche de matériau semiconducteur, comprenant une espèce d'élément donnée, sur un substrat semiconducteur maintenu à l'intérieur de la chambre du réacteur MOCVD. L'espèce d'élément est obtenue à partir de la décomposition d'un composé organo-métallique en phase de vapeur se composant essentiellement de diéthylbérylium. |
