| 摘要 |
Un circuit amplificateur de détection amélioré (Figs. 3, 5, 6) pour détecter des informations dans les cellules (I, I) d'un dispositif de mémoire à semi-conducteurs est présenté. Le circuit amplificateur de détection ci-décrit comprend des moyens de réaction positive à couplage AC (40, 42 ou 140, 142) pour obtenir une réduction de la temporisation dans le processus de détection et par conséquent un temps d'accès en mémoire plus rapide. |
