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发明名称 METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A PLURALITY OF RECRYSTALLIZED MONOCRYSTAL REGIONS
摘要
申请公布号 EP0084265(A3) 申请公布日期 1985.04.17
申请号 EP19820306973 申请日期 1982.12.24
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 OGAWA, TSUTOMU;KAMIOKA, HAJIME;KAWAMURA, SEIICHIRO;SAKURAI, JUNJI
分类号 H01L27/092;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/762;H01L21/8238;H01L21/84;H01L27/12;(IPC1-7):H01L21/20;H01L21/263;H01L21/268 主分类号 H01L27/092
代理机构 代理人
主权项
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