| 摘要 |
Es wird eine Epitaxialdiode mit einem Substrat und einer hochohmigen Mittelzone des einen Leitungstyps und mit einer Außenzone des anderen Leitungstyps sowie mit Rekombinationszentren zur Reduzierung der Trägerlebensdauer beschrieben, bei der hohe Sperrspannungsbelastbarkeit dadurch erzielt wird, daß zwischen Substrat und Mittelzone eine erste Zwischenzone mit übereinstimmendem Leitungstyp und mit niedrigerer Dotierungskonzentration als diejenige des Substrats sowie zwischen Mittelzone und Außenzone eine zweite Zwischenzone des anderen Leitungstyps mit niedrigerer Dotierungskonzentration als diejenige der Außenzone angeordnet ist und als Rekombinationszentren Schwermetallionen vorgesehen sind.
|
