| 摘要 |
Structure de dispositif CMOS de densité élevée (6) essentiellement immune au verrouillage et procédé de fabrication de la structure (6). Celle-ci est obtenue en créant une région de puits (14) dans une surface d'un substrat (12) et adjacente à la surface, la région de puits (14) ayant un profil de densité de dopage rétrograde multiple, et en aménageant des régions de source et de drain (18, 20) dans le puits (14) et adjacentes à la surface du substrat (12), les régions de source et de drain (18, 20) ayant une densité supérieure à la moyenne de défauts résiduels dans ladite région de puits (14), la densité plus grande que la moyenne de défauts résiduels étant généralement associée aux portions les plus profondes des régions de source et de drain (18, 20) et aux portions immédiatement sous-jacentes de ladite région de puits (14), respectivement. |
