| 发明名称 |
Process for producing isolated semiconductor components in a semiconductor substrate. |
| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un procédé de fabrication de composants semiconducteurs isolés sur une plaquette semiconductrice du type utilisé en technologie bipolaire. Selon ce procédé, du silicium polycristallin (7) est déposé dans un évidement (10) d'un substrat de silicium dont les parois sont isolées par une couche de nitrure de silicium (6) à l'exception d'une ouverture (20) formée dans cette couche de nitrure au fond de l'évidement. Ensuite, le silicium polycristallin est réépitaxié pour devenir du silicium monocristallin par échauffement thermique à partir du "germe" constitué par le silicium sous-jacent dans l'ouverture (20). Application à la fabrication de transistors PNP latéraux.</p> |
| 申请公布号 |
EP0135401(A1) |
申请公布日期 |
1985.03.27 |
| 申请号 |
EP19840401208 |
申请日期 |
1984.06.13 |
| 申请人 |
SOCIETE POUR L'ETUDE ET LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SPECIAUX - E.F.C.I.S. |
发明人 |
BOREL, JOSEPH |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/20;H01L21/331;H01L21/762;H01L29/73;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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