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发明名称 INPUT CIRCUIT FOR AN INTEGRATED MONOLITHIC SEMICONDUCTOR MEMORY USING FIELD EFFECT TRANSISTORS
摘要
申请公布号 EP0064569(B1) 申请公布日期 1985.02.27
申请号 EP19810103660 申请日期 1981.05.13
申请人 IBM DEUTSCHLAND GMBH;INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 HAUG, WERNER;CLEMEN, RAINER
分类号 G11C11/407;G11C8/06;G11C11/4076;H03K19/017;G11C11/417;H03K19/094;(IPC1-7):G11C8/00;G11C11/40;G11C11/24 主分类号 G11C11/407
代理机构 代理人
主权项
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