| 发明名称 |
DISPOSITIF A EFFET DE CHAMP UTILISANT UNE CONDITION DE FIGEAGE DES PORTEURS MAJORITAIRES |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP MOS A CANAL ENTERRE 10 EST REFROIDI SUFFISAMMENT (PAR EXEMPLE A 10K) POUR PRODUIRE UNE CONDITION DE FIGEAGE DES PORTEURS MAJORITAIRES DANS LA REGION DE CANAL 30. LORSQU'ON APPLIQUE UNE IMPULSION DE TENSION A LA GRILLE 26, UNE CONDITION DE CONDUCTION TRANSITOIRE APPARAIT DANS LE CANAL ENTERRE 40 ET SE PROLONGE PENDANT UNE DUREE DE L'ORDRE DE 10 SECONDE OU PLUS, ET ON PEUT L'UTILISER POUR DES FONCTIONS DE COMMUTATION EN UN TEMPS INFERIEUR A LA NANO-SECONDE. L'ENERGIE DE COMMUTATION NECESSAIRE POUR PROVOQUER LA CONDUCTION DU DISPOSITIF EST TRES FAIBLE.</P><P>APPLICATION AUX CIRCUITS A TRES HAUT NIVEAU D'INTEGRATION.</P>
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| 申请公布号 |
FR2550662(A1) |
申请公布日期 |
1985.02.15 |
| 申请号 |
FR19840012402 |
申请日期 |
1984.08.06 |
| 申请人 |
AMERICAN TELEPHONE TELEGRAPH CY |
发明人 |
STUART KEENE TEWKSBURY |
| 分类号 |
H01L29/812;H01L21/331;H01L21/338;H01L29/167;H01L29/66;H01L29/73;H01L29/732;H01L29/78;H01L29/80;(IPC1-7):H01L29/76 |
主分类号 |
H01L29/812 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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