METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

摘要

Un procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs exploite le fait que la vitesse de gravure isotropique d'une couche semi-conductrice, par exemple d'une couche de silicium polycristallin ou amorphe, dépend de la quantité de dopage d'une impureté dans la couche semi-conductrice. Une couche semi-conductrice (26) formée sur un substrat (4) est dopée avec une impureté telle que la distribution de concentration d'impuretés est formée en direction de la profondeur de la couche semi-conductrice (26). Dans une région de la couche semi-conductrice (26) destinée à être enlevée de manière sélective, la gravure anisotropique est exécutée de sorte qu'une partie à concentration élevée en impuretés est éliminée et une partie est laissée dans le sens de la profondeur de la couche semi-conductrice (26). La partie restante est ensuite éliminée par gravure isotropique, supprimant ainsi la gravure latérale.