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发明名称 METHOD OF AND ELEMENT OF BIPOLAR TEST STRUCTURE FOR ASSESSMENT OF MAGNITUDE OF EFFECT OF WIDENING OF N-P-N PLANAR TRANSISTORS BASE
摘要
申请公布号 PL243287(A1) 申请公布日期 1985.02.13
申请号 PL19830243287 申请日期 1983.08.03
申请人 INST TECH ELEKTRONOWEJ 发明人 SZLAPA ANDRZEJ
分类号 H01L;(IPC1-7):H01L/ 主分类号 H01L
代理机构 代理人
主权项
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