| 摘要 |
L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF A CIRCUITS INTEGRES A SEMICONDUCTEURS.CE DISPOSITIF APPLIQUE A UN RESEAU DE MEMOIRE EST SUBDIVISE EN UN CERTAIN NOMBRE DE BLOCS DE CIRCUITS CONSTITUES PAR DES ELEMENTS DE CIRCUIT ET PAR DES COUCHES EN POLYSILICIUM ELECTRIQUEMENT CONDUCTRICES PSI, ALIMENTEES PAR UNE COUCHE D'ALUMINIUM AL, LES BLOCS DE CIRCUITS CONSTITUANT LES ELEMENTS DE MEMOIRE ETANT SITUES AU NIVEAU DES POINTS D'INTERSECTION DE LIGNES DE TRANSMISSION DE DONNEES D9 D24 ET DE LIGNES DE TRANSMISSION DE MOTS WO W5.APPLICATION, NOTAMMENT, AUX DISPOSITIFS DE MEMOIRE RAM ET ROM A GRANDE VITESSE DE FONCTIONNEMENT.
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