| 摘要 |
L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF A CIRCUITS INTEGRES A SEMI-CONDUCTEURS.CE DISPOSITIF COMPORTE, SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, DES CELLULES 11 AYANT UNE FONCTION D'ENTREE OU DE SORTIE ET COMPORTANT DES TRANSISTORS MISFET 20, 27, DES PLOTS DE CONNEXION 13 SITUES EN CORRESPONDANCE AVEC LES CELLULES, ET DES CONDUCTEURS DE CABLAGE 38, 39 CONFERANT A LA CELLULE SA FONCTION D'ENTREE OU DE SORTIE ET INCLUANT UNE INTERCONNEXION R AVEC LE PLOT DE CONNEXION, LE TRANSISTOR ETANT TEL QU'IL DETERMINE UN DISPOSITIF DE PROTECTION D EMPECHANT LA DESTRUCTION DE TRANSISTORS MISFET DONT L'ELECTRODE EST ALIMENTEE PAR UN SIGNAL PROVENANT DU PLOT 13.APPLICATION NOTAMMENT AUX MICROPLAQUETTES A CIRCUITS INTEGRES A SEMI-CONDUCTEURS COMPORTANT DES TAMPONS CMOS. |
