发明名称 METHOD OF PRODUCING BURIED HETERO STRUCTURE SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 JPS6018991(A) 申请公布日期 1985.01.31
申请号 JP19840125451 申请日期 1984.06.20
申请人 AMERIKAN TEREFUON ANDO TEREGURAFU CO 发明人 RONARUDO JIYAARU NERUSON;RANDARU BURIAN UIRUSON
分类号 H01S5/00;H01L21/306;H01L21/308;(IPC1-7):H01S3/18 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人
主权项
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