PROCESS FOR PRODUCING SINTERED SILICON CARBIDE

摘要

Procédé de production d'un carbure de silicium fritté possédant une résistance élevée à des températures élevées et une structure fine uniforme, consistant à permettre à un polymère d'organo-silicium d'être présent à la surface de particules de SiC de départ ayant une taille inférieure ou égale à 1 mu, pour précipiter des particules SiC superfines produites à partir du polymère d'organo-silicium sur les particules de SiC de départ dans une étape de chauffage avant l'étape de frittage. Les particules de SiC superfines sont extrêmement actives en comparaison avec les particules SiC de départ et sont précipitées efficacement entre les particules SiC de départ, une partie de ces particules servant ainsi à lier entre elles les particules SiC de départ. Il est ainsi possible d'améliorer sensiblement l'aptitude au frittage d'un moulage, et le frittage peut être exécuté dans une atmosphère contenant de l'azote sans provoquer de réduction de densité ou une détérioration des propriétés liantes.