| 主权项 |
1.式I化合物之制法:(I)式中R系C1-10烷基;R1系氢,甲矽烷基或糖残基;及R2系甲基,乙基、异丙基或第二丁基,该方法包括使式II烯丙酯:(II)式中A为基a或b之一(a)或(b)R8系醯基,R1系氢或较佳为甲矽烷基,R2如式I中所述,与式III之烷基铝所反应而得:A1(R)3 (III)式中R如式I中所述,如自由5-羟基化合物为所需时。随后以水解移去甲矽烷基R1及导入糖残基R1,或使式I之5-羟基化合物与适宜导入糖残基之糖衍生物反应。2.依请求专利部份第1项之制法,包括使式II化合物与式III化合物在惰性溶剂及在一100℃至+100℃较佳为-20℃至+60℃之温度范围实施。3.依请求专利部份第1项之制造式I13-密贝霉素衍生物之方法,式中R及R2如请求专利部份第1项中所述R1系-A-(B)k-(C)m基,其中A系碳水化合残基其系在1'一位置键接及在2'一位置带有羟基或经由氧键接之可容易移去之基,碳水化合物残基A可配糖地键接至第二及/或第三碳水化合物分子B及/或C之任何结构,k及m各自独立为0或1,该方法包括狭义观念使式I13-烷基-5-羟基密贝霉素与:(1)所引入之碳水化合物A或A-(B)k-(C)m反应,其中A,B,C,k,m如式I中所述,所有OH基受到保护,但异头物1-OH基在1-位置被氯或溴取代者为例外,该反应系在银盬或汞盬为缩合剂存在下,并排斥光及在-30℃至+60℃较佳为-5℃至+30℃之温度范围实施;或(2)所引入之碳水化合物A或A-(B)k-(C)m反应,其中所有OH基受到保护,但异头物1-OH基在1-位置被氟所取代者为例外,该反应系在SnCl2及AgClO4为缩合剂存在下,并排斥光及在+5℃至-30℃之温度范围实施;及希望时,适宜地皂化羟基保护基。 |
