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<P>L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMICONDUCTEURS.</P><P>UNE CELLULE DE MEMOIRE VIVE DYNAMIQUE COMPREND NOTAMMENT UNE LIGNE DE BIT 25 FORMEE DANS UN SUBSTRAT 10, UN CONDENSATEUR DE STOCKAGE DE CHARGE 45C, 50, 53 ET DES MOYENS DE COMMUTATION 35B, 38A, 38B DESTINES A CONNECTER SELECTIVEMENT LA LIGNE DE BIT AU CONDENSATEUR. CE DERNIER EST PLACE AU-DESSUS DES MOYENS DE COMMUTATION ET IL COMPREND UNE ARMATURE INFERIEURE 45C, UNE COUCHE DIELECTRIQUE 50 ET UNE ARMATURE SUPERIEURE 53.</P><P>APPLICATION AUX MEMOIRES VIVES A TRES GRANDE DENSITE D'IMPLANTATION.</P>
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