PROCESS FOR GENERATION DOPED REGIONS IN SEMICONDUCTOR WAFERS,申请号PL19800223318-传众专利搜索

发明名称	PROCESS FOR GENERATION DOPED REGIONS IN SEMICONDUCTOR WAFERS
摘要
申请公布号	PL131590(B1)	申请公布日期	1984.12.31
申请号	PL19800223318	申请日期	1980.04.08
申请人		发明人
分类号	H01L;H01L21/22;(IPC1-7):H01L21/22	主分类号	H01L
代理机构		代理人
主权项
地址