METHOD OF MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH N-P-NTRANSISTORS AND INTEGRATED N-P-N TRANSISTOR OF LOW SATURATION VOLTAGE AND HIGH BREAKDOWN VOLTAGE,申请号PL19800226120-传众专利搜索

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发明名称	METHOD OF MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH N-P-NTRANSISTORS AND INTEGRATED N-P-N TRANSISTOR OF LOW SATURATION VOLTAGE AND HIGH BREAKDOWN VOLTAGE
摘要
申请公布号	PL131611(B1)	申请公布日期	1984.12.31
申请号	PL19800226120	申请日期	1980.08.07
申请人		发明人
分类号	H01L;H01L21/22;H01L21/74;(IPC1-7):H01L21/22	主分类号	H01L
代理机构		代理人
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