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<P>TRANSISTOR BIPOLAIRE A DOUBLE HETEROJONCTION COMPATIBLE AVEC DES COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES POUR L'INTEGRATION MONOLITHIQUE.</P><P>IL COMPREND UNE DOUBLE HETEROSTRUCTURE PAR EXEMPLE DU TYPE N-GAALASN-GAASN-GAALAS. DES IMPURETES SONT IMPLANTEES DANS LA COUCHE INTERNE2 EN GAAS, A TRAVERS LA COUCHE DE SURFACE3 EN GAALAS, DE FACON A FORMER UNE ZONE6 DE TYPE P. D'AUTRES IMPURETES SONT IMPLANTEES DANS LA COUCHE DE SURFACE, A L'INTERIEUR DE LADITE ZONE, DE FACON A FORMER UNE ZONE 7 DE TYPE N. CE PROCEDE DE FABRICATION PAR DOUBLE IMPLANTATION IONIQUE EST EGALEMENT COMPATIBLE AVEC LES PROCEDES DE REALISATION DES COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES TELS QUE LASERS, PHOTOTRANSISTORS.</P><P>APPLICATION AUX TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES.</P>
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