| 主权项 |
1.一种半导体装置,系为具有许多之记忆体单元之 半导体装置,其特征为: 前述之相互邻接之记忆体单元间之电容器,形成在 并不相同之层体上,而且,前述之相互邻接之电容 器之形成区域,具有平面呈重叠之区域。2.如申请 专利范围第1项之半导体装置,其中许多之电容器, 交互地形成在下层和上层。3.如申请专利范围第1 项之半导体装置,其中各个之电容器之储存节点之 形状,系形成为圆筒形状,或/及,前述之各个之电容 器之储存节点之表面形状,系形成为粗面形状。4. 如申请专利范围第2项之半导体装置,其中各个之 电容器之储存节点之形状,系形成为圆筒形状,或/ 及,前述之各个之电容器之储存节点之表面形状, 系形成为粗面形状。5.如申请专利范围第1项之半 导体装置,其中在各个之电容器之储存节点之上面 侧和下面侧,具备有单元板。6.如申请专利范围第2 项之半导体装置,其中在各个之电容器之储存节点 之上面侧和下面侧,具备有单元板。7.如申请专利 范围第3项之半导体装置,其中在各个之电容器之 储存节点之上面侧和下面侧,具备有单元板。8.一 种半导体装置之制造方法,其特征为:系具备有以 下所叙述之作业: 在形成于半导体基板上之层间绝缘膜上之下层,贯 穿前述之层间绝缘膜而一直到前述之半导体基板 为止,以便于隔着一定之间隔,而形成该呈电气地 导通至前述之半导体基板之许多个之电容器之作 业;以及, 在前述之下层上方之上层,贯穿前述之一定之间隔 部位而一直到前述之半导体基板为止,以便于形成 该呈电气地导通至前述之半导体基板之许多个之 电容器,而在前述之下层之电容器之区域上,具备 有平面呈重叠之区域之作业。图式简单说明: 第一图系为用以表示本发明之实施形态1之半导体 装置之构造之剖面图。 第二图(a)-第二图(d)系为用以表示第一图所示之半 导体装置之制造方法之剖面图。 第三图(a)-第三图(d)系为用以表示第一图所示之半 导体装置之制造方法之剖面图。 第四图(a)-第四图(d)系为用以表示第一图所示之半 导体装置之制造方法之剖面图。 第五图(a)-第五图(d)系为用以表示第一图所示之半 导体装置之制造方法之剖面图。 第六图(a)-第六图(d)系为用以表示第一图所示之半 导体装置之制造方法之剖面图。 第七图(a)-第七图(c)系为用以表示第一图所示之半 导体装置之制造方法之剖面图。 第八图(a)-第八图(b)系为用以说明本发明和习知之 电容器电容量之差异之图式。 第九图系为用以表示本发明之实施形态2之半导体 装置之构造之剖面图。 第十图(a)和第十图(b)系为用以表示该储存节点之 变化例。 第十一图系用以表示习知之半导体装置之构造之 剖面图。 |
