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发明名称 Integrierte Halbleiterschaltung bestehend aus bipolaren Transistoren und MOS Transistoren und dazugehöriges Herstellungsverfahren
摘要
申请公布号 DE69523292(D1) 申请公布日期 2001.11.22
申请号 DE19956023292 申请日期 1995.12.14
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 发明人 SAWADA, SHIGEKI;FURUTA, TAKASHI
分类号 H01L21/331;H01L21/8249;H01L27/06;(IPC1-7):H01L27/06;H01L21/824 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
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