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经营范围
发明名称
HIGH DENSITY CMOS PROCESS
摘要
申请公布号
HK93984(A)
申请公布日期
1984.12.07
申请号
HK19840000939
申请日期
1984.11.29
申请人
INTEL CORPORATION
发明人
分类号
H01L21/762;H01L21/8238;H01L29/06;(IPC1-7):H01L21/76
主分类号
H01L21/762
代理机构
代理人
主权项
地址
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