| 发明名称 |
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| 摘要 |
<p>PURPOSE:To obtain semiconductor device having reliable wiring layers by covering openings on Si substrate surface with Si, Pt and Au in this order.</p> |
| 申请公布号 |
JPS5950105(B2) |
申请公布日期 |
1984.12.06 |
| 申请号 |
JP19760004938 |
申请日期 |
1976.01.21 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
KATSUTO HISAO;MURAMATSU SHINICHI |
| 分类号 |
H01L21/3205;H01L21/28;H01L23/48;H01L23/52;H01L29/43 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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