发明名称 Integrated digital MOS semiconductor circuit.
摘要 Für integrierte Digitalschaltungen mit redundanten Schaltungsteilen, insbesondere für Halbleiterspeicher mit redundanten Zeilen und Spalten, ist es nach dem Einsatz der Redundanz erwünscht, den Baustein von solchen Bausteinen unterscheiden zu können, bei denen ein solcher Einsatz noch nicht erfolgt ist. Hierzu dient die Erfindung, indem sie ermöglicht, über denselben Signaleingang (A) sowohl die für den Normalbetrieb dienenden Signale als auch Signale für den Testbetrieb in die Schaltung einzugeben, wobei sich die Testsignale von den anderen Signalen durch einen überhöhten Signalpegel unterscheiden. Die erfindungsgemäße Schaltung hat einen durch Auftrennen einer leitenden Verbindung (FL) zu aktivierenden Schaltungsteil, der dann die auf den Eingang gegebenen Signale aufgrund ihrer Pegel voneinander unterscheidet und aufgrund von Signalen mit überhöhtem Pegel sekundäre Signale (ØR) erzeugt, die dann zur Steuerung für den Testbetrieb vorgesehen sind.
申请公布号 EP0127015(A2) 申请公布日期 1984.12.05
申请号 EP19840105061 申请日期 1984.05.04
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 MEYER, WILLIBALD, DIPL.-ING.;WARWERSIG, JURGEN
分类号 G11C29/00;G01R31/317;G06F11/20;G11C11/401;G11C29/14;G11C29/46;G11C29/48;(IPC1-7):G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人
主权项
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